Hitachiの卓上サンプル準備システム

... 部分を作製するために使用します。 特徴 FIBマイクロサンプリングユニットおよびFIBマイクロサンプリング方式 FIBマイクロピラーサンプリングの一例 半導体デバイスから分析ポイントを含むマイクロピラー試料を直接切り出します。 FIBの入射方向を変化させることで、様々な形状の微小試料を切り出したり、トリミングしたりします。 システム構成例 FIB-STEMシステム 新開発の半導体デバイス評価システムは、FB2200 ...

価格：お問い合わせください。 取扱会社：株式会社 日立ハイテクフィールディング 特長 LCDタッチパネルにより指先ひとつで電流・時間などの条件設定が可能 設定した条件の保存・読み出しが可能なレシピ機能を標準装備 オプション装着により厚い試料や大型の試料に対応可能

... することができます。 高スループットでフレキシブルなセットアップが可能 同時に複数サンプルを処理可能 LCDタッチパネルによる操作 簡便なサンプル装着 / 取り出し レシピ機能（10個）を標準搭載 省スペース卓上形 本体寸法：300 ...

... IM4000IIは、断面切削と平面切削の両方に対応し、用途に応じた試料作製が可能です。冷却温度制御、エアー保護ホルダーユニット、各種オプションにより、様々な断面の試料作製が可能です。 特長 高いミリングレート IM4000IIの断面ミリングレート*1は500μm/h以上。従来、長時間加工が必要であった高硬度材に威力を発揮します。 断面加工時の振り角が変化すると、対応する加工幅や加工深さが変化します。下図は断面フライス加工後のSiウェーハのSEM像である。加工条件は、振り角を±30˚から±15˚に下げた以外は上図と同じである。上記の結果よりも加工深さが深くなり、上面から離れたターゲット構造を持つ試料の迅速な断面加工に非常に有効であることが実証された。 ハイブリッドミーリング 断面加工 マスクエッジからはみ出した部分をスパッタリング（ミリング）することで、原面を得ることができます。加工面に平行にイオンビームを照射することで、組成の異なる複雑な材料でも平坦で滑らかなミリングが可能です。 主な用途 局所的な関心領域（ROI）での断面試料の作成 他の方法では研磨が困難な断面試料の作成（複合材料、多層界面、紙/フィルムなど） 平面研磨 フラットミリングでは、イオンビームの偏心と試料の中心点の回転により、断面ミリングよりも広い範囲を加工することができます。 ...

... 構成可能 新しいイオンミリングシステムは、最も複雑なアプリケーションのニーズに対応するために、断面ミリングモードと平面ミリングモードの両方を備えています。 ArBlade 5000システムは、複数のホルダを備え、幅広い用途に対応します。 冷却ユニット ArBlade 5000の極低温バージョンは、サンプル処理中に断面ミリングステージをアクティブに冷却します。断面ステージに接続された内蔵液体窒素デュワーが、イオンビームミリング中に発生する熱をシールドマスクとサンプルから効果的に除去します。 - ...

... 革新的なZONETEM IIデスクトップサンプルクリーナーは、UVベースのクリーニング技術を使用し、電子顕微鏡イメージングのための炭化水素汚染を最小化または除去します。ZONEは、分析前の試料前処理に使いやすいクリーニングを提供し、TEM試料から得られる可能な限り最高のデータを保証します。 概要 試料の前処理や保管により、試料表面が炭化水素で汚染されることは避けられません。ZONETEM II卓上型サンプルクリーナー/デシケーターは、そのような汚れを優しく取り除き、試料の真の表面を明らかにします ...