Sistema automático de preparação de amostras IM4000II

para microscopia eletrônicade resfriamentode superfície

O IM4000II suporta tanto a fresagem de secções transversais como a fresagem plana para preparar amostras, dependendo do objetivo. O controlo da temperatura de arrefecimento, a unidade de suporte de proteção do ar e várias opções permitem a preparação de várias amostras de secções transversais. Características Elevada taxa de fresagem A taxa de fresagem da secção transversal*1 do IM4000II é de 500 µm/h ou superior. É eficaz para materiais duros que, convencionalmente, requerem um processamento prolongado. Quando o ângulo de oscilação durante a fresagem da secção transversal muda, a largura e a profundidade de processamento correspondentes mudam. A figura abaixo mostra as imagens SEM de uma pastilha de Si após a fresagem em secção transversal. As condições de processamento são as mesmas que as mostradas acima, exceto que o ângulo de oscilação foi reduzido de ±30˚ para ±15˚. É demonstrado que a profundidade de processamento é mais profunda do que os resultados anteriores e, por conseguinte, muito eficaz para a preparação rápida de secções transversais de amostras com uma estrutura alvo afastada da superfície superior. Fresagem híbrida Fresagem de secções transversais É possível obter uma superfície pura através da pulverização catódica (fresagem) de partes salientes do espécime que se estendem para além da borda da máscara. Ao irradiar o feixe de iões paralelamente à superfície processada da amostra, é possível uma fresagem plana e suave, mesmo com materiais complexos de diferentes composições. Utilizações principais Preparar uma amostra de secção transversal numa região de interesse localizada (ROI) Preparar uma amostra de secção transversal que seja difícil de polir por outros métodos (materiais compostos, interface multi-camada, papéis/filmes, etc.) Fresagem plana Na fresagem plana, é possível processar uma área mais vasta do que na fresagem de secções transversais através da excentricidade do feixe de iões e da rotação dos pontos centrais da amostra.