Microscópio FIB/SEM NX2000

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Os sistemas FIB-SEM tornaram-se uma ferramenta indispensável para a caraterização e análise das mais recentes tecnologias e materiais à escala nanométrica de elevado desempenho. Uma procura cada vez maior de lâminas TEM ultrafinas sem artefactos durante o processamento FIB exige as melhores tecnologias de ótica de iões e de electrões. O sistema NX2000 FIB de alto desempenho e o sistema SEM de alta resolução da Hitachi, com as suas tecnologias exclusivas de controlo da orientação da amostra* e de feixe triplo*, suportam uma preparação de amostras TEM de alto rendimento e alta qualidade para aplicações de ponta. * Opção Características A deteção de ponto final SEM em tempo real e de alto contraste permite a preparação de amostras TEM ultrafinas de dispositivos com menos de 20 nm. A microamostragem* e o mecanismo de posicionamento de alta precisão* permitem o controlo da orientação da amostra para efeitos de anticurtaining (função ACE) e lamelas de espessura uniforme. Sistema de feixe triplo* Configuração de feixe triplo para redução de danos induzidos por Ga FIB. Especificações Coluna FIB Tensão de aceleração - 0,5 kV - 30 kV Corrente do feixe - 0,05 pA - 100 nA Coluna FE-SEM Tensão de aceleração - 0,5 kV - 30 kV Fonte de electrões - Fonte de emissão de campo de cátodo frio Detetor Detetor padrão - SED superior/inferior e BSED Palco - X: 0 - 205 mm Y: 0 - 205 mm Z: 0 - 10 mm R: 0 - 360° infinito T: -5 - 60° Acessórios especiais (Opcional) 3ª coluna de iões Ar/Xe Sistema de microamostragem Sistema de injeção multi-gás Sistema de dupla inclinação Função Swing (para a 3ª coluna de iões Ar/Xe) Assistente de preparação de amostras TEM Software de preparação automática de amostras TEM Software de navegação CAD Software de ligação com instrumentos de inspeção de defeitos