Sistema de produção PlasmaPro 100 PECVD

O sistema PlasmaPro 100 PECVD foi especificamente concebido para produzir películas de alta qualidade com excelente uniformidade e controlo das propriedades da película, como o índice de refração, a tensão, as características eléctricas e a taxa de corrosão química húmida. O nosso sistema Plasma Enhanced CVD de ponta é adequado para a passivação de películas dieléctricas (por exemplo, SiO2, SixNy), carboneto de silício, silício amorfo, deposição de máscaras duras e revestimentos antirreflexo. Películas de alta qualidade, elevado rendimento, excelente uniformidade Deposição de plasma de alta densidade e baixa pressão Excelente controlo do índice de refração e da tensão Compatível com tamanhos de bolacha até 200 mm Mudança rápida entre tamanhos de bolacha Baixo custo de propriedade e facilidade de manutenção Eléctrodos aquecidos por resistência com capacidade de 400°C a 1200°C Limpeza da câmara in-situ e determinação do ponto final Visão geral O PlasmaPro 100 PECVD proporciona uma excelente deposição conforme e uma baixa geração de partículas devido à uniformidade da temperatura do elétrodo e ao design da cabeça do chuveiro no elétrodo, permitindo que a energia RF produza o plasma. As espécies reactivas de alta energia do plasma oferecem elevadas taxas de deposição para atingir a espessura desejada do substrato, mantendo a baixa pressão. A sua dupla frequência de 13,56MHz e 100KHz de potência aplicada ao elétrodo superior permite o controlo da tensão e a densificação da película. Características Fornece espécies reactivas ao substrato, com um caminho uniforme de alta condutância através da câmara que permite a utilização de um elevado fluxo de gás, mantendo a baixa pressão O chuveiro alimentado por RF com fornecimento optimizado de gás proporciona um processamento uniforme do plasma com comutação LF/RF, permitindo um controlo preciso da tensão da película A elevada capacidade de bombagem permite uma ampla janela de pressão de processo