Sistema de produção PlasmaPro 100 ICPCVD

Este módulo de processo ICPCVD foi concebido para produzir películas de alta qualidade a baixas temperaturas de crescimento, possibilitadas por plasmas remotos de alta densidade que alcançam uma qualidade de película superior com poucos danos no substrato. Excelente uniformidade, alto rendimento e processos de alta precisão Películas de alta qualidade Elétrodo com ampla gama de temperaturas Compatível com todos os tamanhos de bolacha até 200 mm Mudança rápida entre tamanhos de bolacha Baixo custo de propriedade e facilidade de manutenção Espaço compacto, layout flexível Eléctrodos aquecidos por resistência com capacidade até 400°C ou 1200°C Limpeza da câmara in-situ e determinação do ponto final Módulo flexível de fornecimento de vapor que permite a deposição de películas utilizando precursores líquidos, por exemplo, TiO2 utilizando TTIP, SiO2 utilizando TEOS Aplicações Películas de excelente qualidade e baixo dano a temperaturas reduzidas. Os materiais típicos depositados incluem SiO2, Si3N4 e SiON, Si e SiC a temperaturas de substrato tão baixas como 5ºC Tamanhos de fonte ICP de 65 mm, 180 mm e 300 mm, proporcionando uniformidade de processo até wafers de 200 mm Eléctrodos disponíveis para gamas de temperatura de 5ºC a 400ºC Tecnologia patenteada de distribuição de gás ICPCVD Limpeza da câmara in situ com ponta final Módulo flexível de distribuição de vapor que permite a deposição de películas utilizando precursores líquidos, por exemplo, TiO2 utilizando TTIP, SiO2 utilizando TEOS O aquecimento da parede reduz a deposição na parede da câmara O arrefecimento da parte posterior com hélio e fixação mecânica garante temperaturas uniformes da bolacha e propriedades optimizadas da película Apoio global ao cliente A Oxford Instruments está empenhada em fornecer uma assistência global ao cliente abrangente, flexível e fiável. Oferecemos um serviço de excelente qualidade durante toda a vida útil do seu sistema.