Sistema de produção magnético PlasmaPro 100 Polaris

O sistema de gravação ICP RIE de bolacha única PlasmaPro 100 Polaris oferece soluções inteligentes para produzir os excelentes resultados de gravação de que necessita para manter a sua vantagem competitiva. Com uma vasta experiência na gravação de materiais como GaN, SiC e safira, as nossas tecnologias permitem o custo de propriedade e o rendimento necessários para maximizar o desempenho dos seus dispositivos. Excelentes taxas de gravação Baixo custo de propriedade Concebidas especificamente para produtos químicos agressivos Excelente uniformidade de gravação Tecnologia exclusiva de fixação eletrostática capaz de fixar safira, GaN sobre safira e silício Sistema de bombagem de alta condutância Pode ser agrupado com outros sistemas PlasmaPro Características O sistema de gravação de wafer único PlasmaPro 100 Polaris oferece soluções inteligentes para produzir os resultados de gravação de que necessita para manter a sua vantagem competitiva. Concebido especificamente para os químicos agressivos necessários para a gravação de materiais resistentes como GaN, safira e SiC, o PlasmaPro 100 Polaris proporciona taxas de gravação rápidas e uniformes em bolachas de até 200 mm de diâmetro. Elétrodo com arrefecimento ativo - Mantém a temperatura da amostra durante o processo de gravação Fonte ICP de alta potência - Produz plasmas de alta densidade Hardware fiável e facilidade de manutenção - Excelente tempo de funcionamento Espaçador magnético - Controlo e uniformidade de iões melhorados Tecnologia exclusiva de fixação eletrostática - Capaz de fixar safira, GaN sobre safira e silício Revestimentos de câmara aquecidos - Optimizados para reduzir a deposição na parede da câmara Unidade avançada de correspondência automática (AMU) - Permite uma correspondência rápida, eficiente e exacta, possibilitando uma excelente repetibilidade do processo Aplicações Dispositivo RF SiC Via hole etch Dispositivo de semicondutor de potência Gravação de elementos SiC Gravação de GaN HBLED Gravação de GaN em dispositivo RF